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公司地址: | 北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208 |
发布时间:2020-10-22 06:04:54
正性光刻胶的操作工艺
(1)合成醛树脂。将原料混和甲醛送人不锈钢釜,加入适量草酸为催化剂,加热回流反应5~6h,然后减压蒸馏去除水及未反应的单体酚,得到醛树脂。(2)合成感光剂。在装有搅拌器的夹套反应罐中,先将三羟基二苯甲酮和215酰氯加至中搅拌下溶解,待完全溶解后,滴加有机碱溶液做催化剂,控制反应温度30~35℃,滴加完毕后,继续反应1h。将反应液冲至水中,感光剂析出,离心分离,干燥。(3)配胶。将合成的树脂、感光剂与溶剂及添加剂按一定比例混合配胶,然后调整胶的各项指标使之达到要求。后过滤分装,光刻胶首先经过板框式过滤器粗滤,然后转入超净间(100级)进行超净过滤,滤膜孔径0.2mm,经超净过滤的胶液分装即为成品。
选择光刻胶需要注意什么
光刻加工工艺中为了图形转移,辐照必须作用在光刻胶上,通过改变光刻胶材料的性质,使得在完成光刻工艺后,光刻版图形被拷贝在圆片的表面。而加工前,如何选用光刻胶在很大程度上已经决定了光刻的精度。尽管正性胶的分辨力是较好的,但实际应用中由于加工类型、加工要求、加工成本的考虑,需要对光刻胶进行合理的选择。
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光刻胶的主要技术参数
1、分辨率:区别硅片表面相邻图形特性的能力,一般用关键尺寸来衡量 分辨率。形成的关键尺寸越小,光刻胶的分辨率越好。
2、对比度:指光刻胶从***区到非***区过渡的陡度。对比度越好,形成图形的侧壁越陡峭,分辨率越好。
3、敏感度:光刻胶上产生一 个良好的图形所需一 定波长的小能量值(或小***量)。单位:焦/平方厘米或mJ/cm2.光刻胶
的敏***对于波长更短的深紫外光(DUV)、极深紫外光(EUV)等尤为重要。
4、粘滞性/黏度:衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加;高的粘滞性会产生厚的光刻胶;越小的
粘滞性,就有越均匀的光刻胶厚度。
5、粘附性:表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。
6、抗蚀性:光刻胶必须保持它的粘附性,在后续的刻蚀I序中保护衬底表面。
7、表面张力:液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。
8、存储和传送:能量可以启动光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。 同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。
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