光刻胶-赛米莱德-光刻胶NR9-6000PY

光刻胶去除

半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、***和显影等步骤。

在现有技术中，光刻胶NR9-6000PY，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。

而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，光刻胶NR9G-8000PY1，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶***外面形成一层坚硬的外壳。

这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶***外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。

11．请教~有没有同时可以满足RIE

process 和Lift-off

process的光阻，谢谢！

A 我们推荐使用Futurrex

NR1-300PY来满足以上工艺的需求。

12．Futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？

A NR9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。

13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？

A NR9-8000因为有很高的AR比例，***适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。

14．传统的Color

filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作Coior

filter?

A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要Reflow， 颜色也不会老化改变，只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！

15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？

A 美国Futurrex公司，专门生产应用***的，可以为平坦化的材料提供PC3-6000和P***-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。

16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE

COATING，那种适合？？

A 推荐美国Futurrex，P***-10000。

17．腊是用来固定芯片的，光刻胶NR21-20000P，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？

A 我们公司是使用Futurrex

PC3-6000，可以替代的，而且去除比较容易，光刻胶，你可以试用下。

18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗？

A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。

19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？

A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。

光刻胶的应用

1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。