光刻胶 PR1-4000A1-赛米莱德(在线咨询)-光刻胶

光刻胶市场

我国光刻胶市场规模2015年已达51.7亿元，同比增长11%，高于国际市场增速，但***占比仍不足15%，发展空间巨大。2015年我国光刻胶产量为9.75万吨，而需求量为10.12万吨，依照需求量及产量增速预计，未来仍将保持供不应求的局面。据智研咨询估计，得益于我国平面显示和半导体产业的发展，光刻胶 PR1-1000A1，我国光刻胶市场需求，在2022年可能突破27.2万吨。在光刻胶生产种类上，光刻胶 RD6，我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶，而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。放眼国际市场，光刻胶也主要被美国Futurrex 的光刻胶、日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、住友化学、美国杜邦、德国巴斯夫等化工寡头垄断。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

2，涂胶，在硅片覆盖，旋转，离心力，在硅片表面通过旋转的光刻胶，光刻胶，工艺参数3000-6000rpm 胶膜厚0.5-1um，

3，前烘，通过在较高温度下进行烘焙，使存底表面涂覆的光刻胶膜的溶剂挥发，溶剂将至5%左右，同时增强与衬底的粘附性。前烘方法：热平板传导，干燥循环热风提高附着力，红外线辐射。

烘箱前烘条件：90-100度，10-20min，前烘时间与温度应适当，如太长或温度太高，光刻胶层变脆而附着力下降，而前烘不足会影响后面的显影效果。