光刻胶 PR1-500A1?-赛米莱德-光刻胶

问题回馈：

1．我们是LED制造商，麻烦推荐几款可以用于离子蚀刻和Lift-off工艺的光刻胶。

A 据我所知，Futurrex

有几款胶很，NR7-1500P

NR7-3000P是专门为离子蚀刻

设计的，NR9-3000PY可以用于Lift-off上的应用。

2．请问有没有可以替代goodpr1518，Micropure去胶液和goodpr显影液的产品？

A 美国光刻胶，Futurrex

正胶PR1-2000A

， 去胶液RR4，和显影液RD6可以解决以上问题。

3．你们是否有可以替代Shipley

S1805的用于DVD的应用产品？

A 我们建议使用Futurrex

PR1-500A ， 它有几个优点：比较好的解析度，光刻胶 PR1-2000A1 ，比较好的线宽控制，

反射比较少，不需要HMDS，RIE后去除容易等~

4． 求助，耐高温的光阻是那一种？

A Futurrex， NR7 serious(负光阻)Orpr1 serious(正光阻)，再经过HMCTS

silyiation process，可以达到耐高温200度，PSPI透明polyimide，光刻胶，可耐高温250度以上。

5．厚膜光阻在镀金应用上，用哪一种比较理想？

A Futurrex ， NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。

6．请教LIFT-OFF制程哪一种光阻***适合？

A 可以考虑使用Futurrex

，正型光阻PR1，负型光阻用NR1amp;NR7，它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。

7．请问，那位***知道，RIE

Mask，用什么光阻比较好？

A 正型光阻用PR1系列，负型光阻使用NR5，两种都可以耐高温180度。

8．一般厚膜制程中，哪一种光阻***适合？

A NR9-8000P有很高的深宽比（超过4：1），光刻胶 PR1-500A1?，一般厚膜以及，MEMS产品的高需求。

9．在DEEP

RIE和MASK 可以使用NRP9-8000P吗？

A 建议不使用，因为使用NR5-8000更加理想和适合。

10．我们是OLED，我们有一种制程上需要一层SPACER，那种光阻***适合？

A 有一种胶很适合，美国Futurrex

生产的NR1-3000PY

and和

NR1-6000PY，都适合在OLED制程中做spacers

光刻胶由光引发剂、树脂、溶剂等基础组分组成，又被称为光致抗蚀剂，这是一种对光非常敏感的化合物。此外，光刻胶中还会添加光增感剂、光致产酸剂等成分来达到提高光引发效率、优化线路图形精密度的目的。在受到紫外光***后，它在显影液中的溶解度会发生变化。

分类

根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类。

正胶

***前对显影液不可溶，而***后变成了可溶的，能得到与掩模板遮光区相同的图形。

优点：分辨率高、对比度好。

缺点：粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。

灵敏度：***区域光刻胶完全溶解时所需的能量

负胶egative






Photo Resist）

与正胶反之。

优点： 良好的粘附能力和抗刻蚀能力、感光速度快。

缺点： 显影时发生变形和膨胀，导致其分辨率。

灵敏度：保留***区域光刻胶原始厚度的50%所需的能量。

三、光刻胶涂覆（Photoresist Coating）

光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。氧化层可以作为湿法刻蚀或B注入的膜版。作为光刻工艺自身的首先过程，一薄层的对紫外光敏感的有机高分子化合物，即通常所说的光刻胶，要涂在样品表面(SiO2)。首先光刻胶被从容器中取出滴布到置于涂胶机中的样品表面，(由真空负压将样品固定在样品台上)，样品然后高速旋转，转速由胶粘度和希望胶厚度确定。在这样的高速下，胶在离心力的作用下向边缘流动。

涂胶工序是图形转换工艺中初的也是重要的步骤。涂胶的质量直接影响到所加工器件的缺陷密度。为了保证线宽的重复性和接下去的显影时间，同一个样品的胶厚均匀性和不同样品间的胶厚一致性不应超过±5nm(对于1.5um胶厚为±0.3%)。

光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。太厚胶会导致边缘覆盖或连通、小丘或田亘状胶貌、使成品率下降。在MEMS中、胶厚(烤后)在0.5-2um之间，而对于特殊微结构制造，胶厚度有时希望1cm量级。在后者，旋转涂胶将被铸胶或等离子体胶聚合等方法取代。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，光刻胶 PR1-1500A1 ，这些因素的稳定性很重要。

在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和2～5微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。

用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。