光刻胶-赛米莱德-光刻胶 NR7-6000P??

NR77-15000PY光刻胶光刻胶

光刻胶稳定性

化学稳定性：在正常储存和操作条件下，在密闭容器中室温稳定。

避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。

不相容的其他材料: 强氧化剂。

光刻胶毒理资料

淡***液体，气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状。液体是可燃的。

毒性数据

皮肤：可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状，光刻胶 NR7-6000PY，类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的刺激或皮炎。

眼睛：引起眼睛发炎。

吸入：吸入时可能***。引起呼吸道刺激。蒸气可能导致困倦和头晕。

摄食：吞食***。

延迟效应：肝和肾损害，光刻胶 NR7-6000P??，以及动物实验中有报道血液和GU髓有影响。

光刻工艺主要性一

光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试。一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10~50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求。

针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配方来实现。因此，通过调整光刻胶的配方，满足差异化的应用需求，是光刻胶制造商***核心的技术。

此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，光刻胶 MC2-1200，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效应。光刻分辨率与***波长、数值孔径和工艺系数相关。

9，去胶:湿法去胶，用溶剂、用NONG***。负胶，98%H2SO4 H2O2 胶=CO CO2 H2O，正胶：BIN酮，干法去胶（ash）氧气加热去胶O2 胶=CO CO2 H2O，等离子去胶Oxygenpla***a ashing，高频电场O2---电离O- O ， O 活性基与胶反应CO2，光刻胶，CO， H2O， 光刻检验

光刻胶-赛米莱德-光刻胶 NR7-6000P??由 北京赛米莱德贸易有限公司提供。“光刻胶”就选 北京赛米莱德贸易有限公司（www.semild.com），公司位于：北京市北京经济技术开发区博兴九路2号院5号楼2层208，多年来，赛米莱德坚持为客户提供好的服务，联系人：况经理。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。赛米莱德期待成为您的长期合作伙伴！