光刻胶 PR1-1500A1 -赛米莱德-光刻胶

正胶PR1-2000A1技术资料

正胶PR1-2000A1是为***波长为365 或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。PR1-2000A1可以满足对附着能力较高的要求，在使用PR1-2000A1时一般不需要增粘剂，光刻胶 PR1-12000A1，如HMDS。

相对于其他的光刻胶，PR1-2000A1有如下的一些额外的优势：

PEB，不需要后烘的步骤；

较高的分别率；

快速显影；

较强的线宽控制；

蚀刻后去胶效果好；

在室温下有效期长达2年。

芯片光刻的流程详解（二）

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，光刻胶 RD6，该步骤利用***和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，光刻胶 PR1-1500A1 ，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，光刻胶 ，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

品牌

产地

型号

厚度

***

应用

加工

特性

Futurrex

美国

NR71-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

用于i线***的负胶

LEDOLED、

显示器、

MEMS、

封装、

生物芯片等

金属和介电

质上图案化，

不必使用RIE

加工器件的永

组成

（OLED显示

器上的间隔

区）凸点、

互连、空中

连接微通道

显影时形成光刻胶倒

梯形结构

厚度范围：

0.5～20.0 μm

i、g和h线***波长

***

对生产效率的影响：

金属和介电质图案化

时省去干法刻蚀加工

不需要双层胶技术

NR71-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR71-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9-100PY

0.7μm~2.1μm

粘度增强

NR9-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR9-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR71G-1000PY

0.7μm~2.1μm

高温耐受

负胶对 g、h线波长的灵敏度

NR71G-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71G-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR71G-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9G-100PY

0.7μm～2.1μm

粘度增强

NR9G-1500PY

1.3μm～3.1μm

NR9G-3000PY

2.8μm～6.3μm

NR9G-6000PY

5.7μm~12.2μm

品牌

产地

型号

厚度

耐热温度

应用

Futurrex

美国

PR1-500A

0.4μm～0.9μm