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光刻胶的应用

光刻胶的应用

1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯***制定了国际统一标准——SEMI标准。在光刻胶生产种类上，我国光刻胶厂商主要生产PCB光刻胶，而LCD光刻胶和半导体光刻胶生产规模较小，相关光刻胶主要依赖进口。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯***中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。

光刻胶市场

据统计资料显示，2017年中国光刻胶行业产量达到7.56万吨，较2016年增加0.29万吨，其中，中国本土光刻胶产量为4.41万吨，与7.99万吨的需求量差异较大，说明我国供给能力还需提升。

国内企业的光刻胶产品目前还主要用于PCB领域，代表企业有晶瑞股份、科华微电子。

在半导体应用领域，随着汽车电子、物联网等发展，会在一定程度上增加对G线、I线的需求，利好G线、I线等生产企业。问题是国内缺乏生产光刻胶所需的原材料，致使现开发的产品碳分散工艺不成熟、碳浆材料不配套。预计G线正胶今后将占据50%以上市场份额，I线正胶将占据40%左右的市场份额，DUV等其他光刻胶约占10%市场份额，给予北京科华、苏州瑞红等国内公司及美国futurrex的光刻胶较大市场机会。

光刻胶国内的研发起步较晚

光刻胶的研发，关键在于其成分复杂、工艺技术难以掌握。这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留。光刻胶主要成分有高分子树脂、色浆、单体、感光引发剂、溶剂以及添加剂，开发所涉及的技术难题众多，需从低聚物结构设计和筛选、合成工艺的确定和优化、活性单体的筛选和控制、色浆细度控制和稳定、产品配方设计和优化、产品生产工艺优化和稳定、终使用条件匹配和宽容度调整等方面进行调整。因此，要自主研发生产，技术难度非常之高。

在光刻胶研发上，我国起步晚，2000年后才开始重视。近几年，虽说有了快速发展，但整体还处于起步阶段。事实上，工艺技术水平与国外企业有着很大的差距，尤其是材料及设备都仍依赖进口。

光刻胶国际化发展

业内人士认为，按照现在“单打独斗”的研发路径，肯定不行。影响显影的效果主要因素：1，***时间，2前烘温度和时间，3光刻胶膜厚，4显影液浓度温度，5显影液的搅动情况。***相关部门要加大产业政策的配套支持力度，应从加快完善整个产业链出发，定向梳理国内缺失的、产业依赖度高的关键核心电子***，要针对电子***开发难度高，检测设备要求高的特点，***汇聚一些优势企业和***，形成一个产业联盟，***建立一个生产应用示范平台，集中力量突破一些关键技术。

江苏博砚电子科技有限公司董事长宗健表示，光刻胶要真正实现国产化，难度很大。光刻胶是整个光刻工艺的重要部分，也是国际上技术门槛较高的微电子***之一，主要应用在集成电路和平板显示两大产业。问题是国内缺乏生产光刻胶所需的原材料，致使现开发的产品碳分散工艺不成熟、碳浆材料不配套。而作为生产光刻胶重要的色浆，至今依赖日本。前道工艺出了问题，保证不了科研与生产，光刻胶国产化就遥遥无期。因此，必须通过科研单位、生产企业的协同创新，尽快取得突破。

有***提出，尽管国产光刻胶在面板一时用不起来，但***还是要从政策上鼓励国内普通面板的生产企业尽快用起来。30．想请教国产光刻胶不能达到膜厚要求，进口的有没有比较好的光刻胶啊。只有在应用过程中才能发现问题，解决问题，不断提升技术、工艺与产品水平，实现我国关键电子***材料的国产化，完善我国集成电路的产业链，满足***和***产业的需求。