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光刻胶的相关信息

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点。光分解型采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。光交联型采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

含硅光刻胶

为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀 [2] 。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。***显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性 [2] 。含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，，含Si的树脂等

光刻胶的未来市场

光刻胶市场需求逐年增加，2018年***半导体光刻胶销售额12.97亿美元，而国内光刻胶需求量方面，2011年光刻胶需求量为3.51万吨，到2017年需求量为7.99万吨，年复合增长率达14.69%。

国内光刻胶需求量远大于本土产量，且差额逐年扩大。由于中国大陆光刻胶市场起步晚，目前技术水平相对落后，生产产能主要集中在PCB光刻胶、TN/STN-LCD光刻胶等中低端产品，TFT-LCD、半导体光刻胶等高技术壁垒产品产能很少。

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光刻胶的成分

树脂:光刻树脂是一种惰性的聚合物基质 ,是用来将其他材料聚合在一-起的粘合剂。 光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的。

感光剂:感光剂是光刻胶的核心部分，他对光形式的辐射能,特别在紫外区会发生反应。***时间、光源所发射光线的强，度都根据感光剂的特性选择决定的。

溶剂:光刻胶中容量较大的成分，感光剂和添加剂都是固体物质，为了方便均匀的涂覆,要将他们加入溶剂进行溶解,形成液态物质，并且使之具有良好的流动性，可以通过选择方式涂布在waf er表面。

添加剂:用以改变光刻胶的某些特性,如改善光刻胶发生反射而添加染色剂。